|
PCB cu 57g de Cupru
Temperatură scăzută cu 50°C, Impedanță scăzută de 2X |
|
PCB (Printed Circuit Board)
PCB cu 57g de Cupru= Cantitatea de cupru pe o suprafață de 12 inch x 12 inch (929cmp) a PCB este de 57g. |
|
| Masă |
Grosime |
| 28.35g |
35 µm (µ = micro) |
| 57g |
70 µm (µ = micro) |
|
|
|
| |
| |
| Mai rece cu 50°C |
|
 |
| |
* Măsurarea temperaturii CPU VRM în setup cu răcire cu apă și CPU rulând la o încărcare de 100% |
|
|
|
Dublarea cantității de cupru duce la o soluție termică de răcire mai bună printr-o împrăștiere mai eficientă a căldurii din zonele critice ale plăcii de bază cum ar fi zona de alimentare CPU, prin toată placa de bază. De fapt, plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable 3 reușesc să aibe temperaturi de lucru cu până la 50°C mai joase față de plăcile de bază tradiționale*. |
| |
Configurație:
CPU : Intel Core 2 Quad Extreme QX6800
Memorie : DDR2 800 512MB *2
VGA : NX73G-128D-RH |
| |
Aplicație de test:
Scule: Intel P4MaxPower @ 100% Power
Soluție de răcire: răcire cu apă pentru a preveni fluxul de aer pentru o măsurare precisă
Temperatura camerei: 25°C |
|
| |
| |
| Diagrama termală în infraroșu a plăcii de bază |
 |
| * Măsurarea temperaturii CPU VRM cu CPU rulând la o încărcare de 100%. |
| |
| |
| MOSFET Lower RDS(on) |
‧ Încărcare optimizată a porții pentru minimizarea pierderilor la comutație.
‧ Temperaturi mai joase, dimensiune mai mică, caracteristici termice mai bune. |
| În cazul MOSFET-ilor, GIGABYTE a decis să folosească MOSFET-i Low RDS(on). Acestia sunt MOSFET-i construiti special pentru a produce comutații joase pentru a avea încărcări și descărcări electrice rapide. Beneficiul adus de folosirea acestor componente mai scumpe este că MOSFET-ii Low RDS(on) consumă mai puțină energie în timpul procesului de comutație, rezultând o comutație mai rapidă și mai puțină căldură generată. |
 |
Ce este un MOSFET?
Un MOSFET este un comutator care permite sau nu trecerea curentului electric printr-un circuit electronic. |
|
| |
 |
| |
Temperatură |
|
| |
|
Lower RDS(on) MOSFET |
16% Mai jos |
| |
Standard MOSFET |
|
|
|
| De fapt, comparat cu un MOSFET standard, temperatura MOSFET-ului RDS(on) este cu 16% mai joasă. |
| |
| Rezistență scăzută = Consum redus de energie= Temperatură scăzută |
|
|
| |
| |
| |
Consum de energie |
Căldura este o rezultantă
a consumului de energie |
|
|
| |
|
| |
|
|
|
Ecuația puterii: P = I 2 x R
(P: Putere, I : Curent, R: Rezistență) |
|
|
|
| |
